플라즈마 띄울때


산소 소모량이 40 l/min이라고 합니다.


(공기평균 분자량은 29 g/mol)이라고 괄호가 쳐있구요


만약 Ar일때는 분당 몇 l가 소모될까요???


자세한 답변 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76932
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20307
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57226
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68777
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92756
460 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4222
459 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4167
458 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4061
457 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4002
456 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3979
455 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3977
454 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3975
453 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3975
452 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3894
451 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3851
450 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3816
449 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3783
448 Descum 관련 문의 사항. [1] 3746
447 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3722
446 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3662
445 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3657
444 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3570
443 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3570
442 ESC Cooling gas 관련 [1] 3566
441 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3559

Boards


XE Login