안녕하세요. 저는 디스플레이 건식식각 장비회사에 다니고 있습니다.

 

저희 회사는 ICP를 사용하고 있습니다. Source Vpp, Bias Vpp라는 parameter가 있는데 제가 알기로는 RF 파형의 전압 값으로 RF power와 비례한다고 알고 있습니다. 그런데 식각 시 Source와 Bias power는 일정하게 유지함에도 불구하고 Vpp가 변동됩니다. Process가 진행되면서 Source Vpp는 증가하는 경향, Bias Vpp는 감소하는 경향을 보입니다. 

 

Bias Vpp는 -Vdc(표면전위)로 점차 떨어져 안정화된다고 하셨는데, Source Vpp는 왜 증가한 후 안정화되는 건가요?

 

박막이 식각됨에 따라 플라즈마의 임피던스가 변해서 Vpp가 변동이 생기는 건가요? 그렇다면 왜 Source Vpp와 Bias Vpp가 상반되는 거동을 보이는 것인지요? 고민해봐도 잘 모르겠어서 부득이하게 질문 드립니다.

 

참고로 저희 장비의 Vdc sensor는 capacitor의 원리를 사용해 측정하기 때문에 전위변동 -> 안정화 후에는 0으로 수렴하는 경향을 가지고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76694
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92219
447 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4168
446 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4138
445 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4004
444 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
443 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3963
442 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3949
441 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3902
440 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3890
439 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3798
438 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3749
437 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3740
436 Descum 관련 문의 사항. [1] 3717
435 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3684
434 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3679
433 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3641
» 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3609
431 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3556
430 ESC Cooling gas 관련 [1] 3524
429 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3523
428 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3514

Boards


XE Login