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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 4243 |
471 |
Vpp, Vdc 측정관련 문의 [Self bias와 DC offset]
[1] | 4230 |
470 |
CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전]
[3] | 4225 |
469 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF]
[2] | 4217 |
468 |
dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성]
[1] | 4208 |
467 |
DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering]
[2] | 4203 |
466 |
the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [Ideal MHD plasma의 magnetic flux conservation]
[1] | 4110 |
465 |
Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency]
[1] | 4084 |
464 |
RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스]
[2] | 4064 |
463 |
RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning]
[1] | 4055 |
462 |
ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어]
[1] | 3968 |
461 |
CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포]
[1] | 3947 |
460 |
Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3839 |
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방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압]
[1] | 3791 |
458 |
electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF]
[2] | 3747 |
457 |
코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해]
[1] | 3745 |
456 |
matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance]
[3] | 3742 |
455 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
[1] | 3733 |
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Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링]
[2] | 3616 |