Etch etching에 관한 질문입니다.
2018.08.14 14:59
안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.
가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.
ethcant gas인 ch4는 고정시키고
Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.
질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?
질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76857 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57194 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92611 |
| 437 |
CCP 챔버 접지 질문드립니다.
[1]  | 1330 |
| 436 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2346 |
| 435 | Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] | 3471 |
| 434 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 685 |
| 433 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1205 |
| 432 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2138 |
| 431 | 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... | 489 |
| 430 |
수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다
[2] | 593 |
| 429 | 자기 거울에 관하여 | 1144 |
| 428 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 826 |
| 427 | Descum 관련 문의 사항. [1] | 3736 |
| 426 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 643 |
| 425 | Plasma Generator 관련해서요. [1] | 912 |
| 424 | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1456 |
| 423 | glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] | 448 |
| 422 | OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] | 5936 |
| 421 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1189 |
| 420 |
해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안
[1] | 518 |
| 419 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1] | 1069 |
| 418 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17510 |