안녕하세요..

저는 반도체회사에 근무하는 직장인입니다

RF Generator와 Impedance 관련 궁금한 것이 있어 자문을 얻고자합니다


현재 CVD 공정에서 일하고 있으며, ICP 설비를 다루고 있는데,

동일한 설비이나 Turbo Pump Model이 달라(RPM이 다름) 동일한 Gas 량을 Chamber에 넣어도 Chamber Pressure에 차이가 납니다

실제 공정진행 시 4.7mT,  6.7mT로 약 2mT 차이가 발생하는데요..

이러한 경우에 챔버의 Impedance에도 차이가 나는지, 또 차이가 난다면 어느정도가 나는지 알고 싶습니다.


또 하나는 RF Generator에 관한 질문인데요..

RF Generator는 2MHz를 사용하며, 3000KW출력을 내는 4개의 P/A Board로 구성되어 있어 최대 12000KW 출력을 낼수 있습니다.

P/A Board간의 Current Ballance가 중요하다고 하는데, 왜 중요한지 알고 싶으며,

현재 P/A Board 의 발열에 의한 Burnning 문제가 있는데, 이 Board 간 Current Ballance가 발열에도 영향을 미치는지 알고 싶습니다.


수식으로 설명이 가능하다면 더 이해가 잘 될 거 같은데.. 답변 부탁드립니다.


 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76858
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20263
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57196
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92612
437 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2007
436 chamber impedance [1] 2014
435 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2023
434 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2056
433 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2064
432 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2067
431 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2077
430 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2138
429 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2149
428 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2178
427 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2242
426 플라즈마볼 제작시 [1] file 2248
425 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2249
424 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2257
423 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2264
422 etching에 관한 질문입니다. [1] 2272
421 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2284
420 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2285
419 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2286
418 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2324

Boards


XE Login