안녕하세요

Remote Plasma Source Cleaning 에 대해 질문이 있습니다.

 

PECVD Chamber Cleaning을 위해 RPSC를 사용한다고 알고 있습니다.

 

Plasma를 챔버안에서 안터트리고 외부에서 만들어서 챔버 데미지를 안입힌다고 하는데 그 개념이 잘 이해가 안됩니다.

그럼 RPSC에서 터트리면 RPSC도 데미지를 입게되나요?

아니면 유도 전기장을 이용해서 데미지가 적은것인가요?

 

또한 직접 Chamber 에서 플라즈마 터트려 Cleaning 하는 것보다 Cleaning 주기도 길다고 하는데요.

그 이유도 궁금하네요.

 

답변 부탁드릴게요 ㅜㅜ

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102741
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24677
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61391
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73462
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105796
473 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 2098
472 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 2101
471 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동] [2] 2132
470 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [Wafer bias와 chuck cap] [1] 2133
469 ICP와 CCP에서의 Breakdown voltage [Breakdown과 E-H transition] [1] 2140
468 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [Resonator의 matching] [1] 2157
467 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율] [1] 2200
466 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2200
465 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [N2 Ionizer 이온 및 중성 입자 해석] [1] 2225
464 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2243
463 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2273
462 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2274
461 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [Breakdown voltage 및 이온화 에너지] [1] 2287
460 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [Wave guide 및 matcher position 변화] [1] 2292
459 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2309
458 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [군산대학교 주정훈 교수님] [1] 2338
457 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [Ion energy와 heat, sheath energy] [2] 2366
456 RF generator 관련 문의드립니다 [Matcher와 line damage] [3] 2383
455 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계] [1] 2387
454 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2393

Boards


XE Login