Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:2159

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77294
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20491
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57409
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68940
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92987
450 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1970
449 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1986
448 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1988
447 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1988
446 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1989
445 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1998
444 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 2011
443 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 2022
442 chamber impedance [1] 2033
441 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2037
440 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 2038
439 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2050
438 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2051
437 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2058
436 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2070
435 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2088
434 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 2155
» LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2159
432 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2171
431 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2174

Boards


XE Login