Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2360

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76743
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20213
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68706
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92299
429 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2130
428 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2173
427 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 2231
426 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2232
425 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2234
424 플라즈마볼 제작시 [1] file 2238
423 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2239
422 etching에 관한 질문입니다. [1] 2261
421 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2264
420 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2270
419 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2281
418 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2306
417 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2314
416 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2315
415 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2315
414 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2316
413 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2316
412 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2319
411 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2320
410 Wafer particle 성분 분석 [1] 2321
쓰기
태그

Boards

XE Login