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공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60733
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72685
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 103984
473 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 4142
472 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 4140
471 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4134
470 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 4125
469 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4123
468 the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [Ideal MHD plasma의 magnetic flux conservation] [1] file 4101
467 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성] [1] 4100
466 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning] [1] 3985
465 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 3950
464 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3920
463 ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어] [1] 3914
462 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3847
461 방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압] [1] 3762
460 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance] [3] 3686
459 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3683
458 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3679
457 코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해] [1] 3675
456 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3653
455 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 3571
454 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3539
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