학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77679
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20699
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57626
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69123
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93356
456 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3621
455 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3583
454 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3578
453 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3541
452 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3539
451 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3493
450 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3461
449 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3454
448 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3406
447 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3362
446 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3357
445 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3308
444 CVD 공정에서의 self bias [1] 3304
443 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3297
442 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3225
441 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 3187
440 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3172
» Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3136
438 RF matcher와 particle 관계 [2] 3132
437 Plasma etcher particle 원인 [1] 3109

Boards


XE Login