안녕하세요, 한국기술교육대학교에서 석사과정중인 최인규입니다.


현재, Plasma 상태에서의 분자와 기판의 반응을 시뮬레이션을 통해서 모사해 보려고 하고 있습니다.


다만 현재 N 플라즈마 상태에서, N이 어떠한 형태로 존재하는지 알지 못하고 있습니다. 


H 플라즈마의 경우에는 I. Mendezet al , J. Phys. Chem . Rev . A 110 2006 ) 6060 6 논문을 참고하여, 


H 원자 형태로 가장 많이 존재하며 그 이후로 H3+, H+, H2+ 순으로 구성되어있다고 하는데,


N 플라즈마의 경우 대부분이 N+ / N2+ 의 비율로만 보여주고 있어 어려움이 있습니다.


혹 N이 이온이 아닌 원자 형태로 존재하는지, 존재를 한다면 N+, N2+ 대비 얼마나 존재 할지 궁금하여 질문드립니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76866
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20269
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57198
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68750
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92690
437 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3550
436 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3477
435 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3452
434 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3447
433 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3435
432 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3426
431 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3350
430 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3337
429 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3332
428 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3330
427 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3236
426 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3228
425 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3207
424 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3169
423 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
422 CVD 공정에서의 self bias [1] 3148
421 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3058
420 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3008
419 Plasma etcher particle 원인 [1] 2999
418 RF matcher와 particle 관계 [2] 2963

Boards


XE Login