Etch etching에 관한 질문입니다.

2018.08.14 14:59

juhyok 조회 수:2272

안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.

가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.


ethcant gas인 ch4는 고정시키고

Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.


질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?

질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76852
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20261
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57193
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92610
437 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3543
436 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3471
435 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3446
434 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3441
433 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3429
432 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3418
431 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3344
430 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3329
429 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3328
428 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3325
427 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3223
426 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3223
425 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3202
424 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3167
423 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
422 CVD 공정에서의 self bias [1] 3132
421 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3057
420 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2997
419 Plasma etcher particle 원인 [1] 2993
418 RF matcher와 particle 관계 [2] 2955
쓰기
태그

Boards

XE Login