Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:3262

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76694
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92218
427 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3491
426 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3442
425 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3435
424 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3403
423 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3399
422 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3367
421 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3323
420 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3318
419 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3283
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3262
417 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3191
416 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3175
415 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3171
414 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3165
413 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3158
412 CVD 공정에서의 self bias [1] 3090
411 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3051
410 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2961
409 Plasma etcher particle 원인 [1] 2959
408 RF matcher와 particle 관계 [2] 2906

Boards


XE Login