안녕하세요 교수님, 석사과정을 진행중인 학생입니다. 

RIE에 대하여 공부하다 해결되지 않는 사항이 있어 질문드리고자 합니다.

ion theath thickness와 MFP와의 관계에 따라 ion directionality가 달라지고, ARDE가 발생하게 된다는 것 까진 학습하였습니다.(차일드-랭뮤어의 식)


1. Ion의 mass에 따라 sheath thickness가 변하는데, sheath thickness가 ion 가속, MFP, Vdc(self bias)에 끼치는 영향이 있는지 여쭙고자 합니다.
(Ion mass --> sheath thickness변화 ==> ion 가속영향? / MFP 영향? / Vdc 영향?..아니면 그 자체로는 다른 parameter에 영향이 없는지..)


2. RIE에서 wafer(electrode)의 open area의 경우, ion flux와 electron flux가 같다고 학습하였습니다.

이때 gas를 바꾸었을 때 ion의 mass가 바뀌었을 때,(ex, F --> Br) ion flux가 동일한지, 그렇다면 동일 flux이므로 wafer incident ion energy는 mass가 증가한 만큼 증가하게 되는지, electron의 energy가 ion의 mass나 이온화E에 영향이 있는지 여쭙고자 합니다. (속도가 동일하므로, mass증가에 따라 ion의 kinetic E 증가하는지...)


조금 두서없이 썼지만, 공부하는 중 해결이 잘 되지않아 교수님께 질문드리고자 합니다.


감사합니다.

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