안녕하세요 반도체 장비회사에서 이제 막 배우기 시작한 신입사원입니다.

평소에 홈페이지에서 도움을 많이 얻었지만 학습 중 궁금한게 있어 여쭤봅니다.


제목 그대로 Edge Ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 글 남깁니다.


Edge Ring을 사용하는 이유가 Wafer Edge에서 형성되는 Sheath Region의 영향을 받아 Ion의 방향성이 수직으로 입사하지 않고 틀어진다고 알고있습니다.

그렇다면 Chamber 상부의 전극을 Control 하여 Wafer Edge에서 Ion 방향성 제어를 한다면 Edge Ring 없이 구현 가능하지 않을까 해서 글 남깁니다.

인터넷에 수없이 찾아봤지만 Edge Ring 없이 구현하는 ESC 관련 자료는 없기에 불가능 할것 같긴 합니다.

Edge Ring을 사용하는 이유가 위의 이유 이외에 다른것이 있는 것인지도 궁금합니다.



1. 상부 전극을 제어하여 Wafer Edge 부분에서 Ion 방향성을 제어한다면 Edge Ring 없이 구현가능한지 궁금합니다.


2. 위에 언급한 이유 외에 Edge Ring을 사용하는 다른 이유가 혹시 존재하는지 궁금합니다.


너무 두서없이 질문한것 같아 죄송합니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5835
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17290
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53125
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64509
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85123
338 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 2652
337 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 2593
336 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2542
335 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2542
334 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 2490
333 PR wafer seasoning [1] 2486
332 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 2481
331 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2453
330 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2451
329 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2447
328 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 2424
327 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 2410
326 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2347
325 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 2309
» Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2271
323 임피던스 매칭회로 [1] file 2268
322 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 2260
321 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2245
320 Plasma etcher particle 원인 [1] 2245
319 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2235

Boards


XE Login