안녕하세요 반도체 장비회사에서 이제 막 배우기 시작한 신입사원입니다.

평소에 홈페이지에서 도움을 많이 얻었지만 학습 중 궁금한게 있어 여쭤봅니다.


제목 그대로 Edge Ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 글 남깁니다.


Edge Ring을 사용하는 이유가 Wafer Edge에서 형성되는 Sheath Region의 영향을 받아 Ion의 방향성이 수직으로 입사하지 않고 틀어진다고 알고있습니다.

그렇다면 Chamber 상부의 전극을 Control 하여 Wafer Edge에서 Ion 방향성 제어를 한다면 Edge Ring 없이 구현 가능하지 않을까 해서 글 남깁니다.

인터넷에 수없이 찾아봤지만 Edge Ring 없이 구현하는 ESC 관련 자료는 없기에 불가능 할것 같긴 합니다.

Edge Ring을 사용하는 이유가 위의 이유 이외에 다른것이 있는 것인지도 궁금합니다.



1. 상부 전극을 제어하여 Wafer Edge 부분에서 Ion 방향성을 제어한다면 Edge Ring 없이 구현가능한지 궁금합니다.


2. 위에 언급한 이유 외에 Edge Ring을 사용하는 다른 이유가 혹시 존재하는지 궁금합니다.


너무 두서없이 질문한것 같아 죄송합니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77021
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20349
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57272
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68817
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92817
441 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3561
440 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3512
439 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3468
438 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3452
437 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3450
436 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3450
435 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3397
434 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3359
433 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3338
432 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3337
431 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3278
430 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3259
429 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3228
428 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3175
427 CVD 공정에서의 self bias [1] 3172
426 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
425 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3065
424 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3028
423 Plasma etcher particle 원인 [1] 3026
422 RF matcher와 particle 관계 [2] 3003

Boards


XE Login