Hello,

I am working on a ALD (Atomic layer deposition) product wherein we are processing multiple wafers in the single reactor. 

When we supply RF power to one of the reactor (i.e. REACTOR 1), the other reactor (REACTOR 2) beside reactor 1 is showing high Vpp value. We are not supplying RF power to reactor 2. (Please note reactor 1 & reactor 2 share the gas flow volume and are not fully isolated)
Why would this be happening ? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76829
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20251
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68743
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92581
776 ICP에서 전자의 가속 [1] 151
775 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 61
774 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 254
773 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 67
772 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 111
771 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 171
770 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 181
769 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 76
768 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 253
767 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 132
766 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 88
765 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 181
764 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 326
763 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 361
762 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 204
761 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 216
760 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] 570
759 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 587
758 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 139
757 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 414

Boards


XE Login