Plasma in general low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜.
2021.04.09 12:04
안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.
다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데
왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] | 75407 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19148 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56477 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67535 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89320 |
242 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1033 |
241 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1124 |
240 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 365 |
239 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1034 |
238 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 539 |
237 | 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] | 391 |
236 | Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] | 532 |
235 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 945 |
234 | Bias 관련 질문 드립니다. [1] | 3127 |
233 | Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] | 4466 |
232 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1361 |
231 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1093 |
230 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1213 |
229 | 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] | 416 |
228 | ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] | 8127 |
227 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1102 |
226 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 908 |
225 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1423 |
224 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 599 |
223 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 1581 |
아크 발생을 이해하기 위해서는 파션커브를 이해해 보시면 좋을 것 같습니다. 파괴전압-압력x길이(전극간의 거리 혹은 평균충돌 거리)로 pd 곡선이라고도 합니다. 본 게시판에서 글로우 방전, 파센곡선(커브) 으로 찾아 보시면 압력과 전기장과 재료 특성이 방전 개시에 미치는 영향이 있음을 이해하시는 데 도움이 클 것입니다. 아울러 챔버 내 기구 내에서 아크 및 벽면 분순물 근방 혹은 SH에서의 아크 등의 현상을 이해하시는데 도움이 됩니다.