Etch 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE]
2022.06.07 20:57
안녕하세요.
현재, 플라즈마 장비를 이용하여 표면구조 처리를 하고자 하는 대학원생 조원희입니다.
다름이 아니라, 플라즈마를 주로 전공하는 과 가 아니기 때문에, 현재 연구실에 있는 플라즈마 샘플 위치에 헷갈림이 좀 있습니다.
오래전 저희 연구실에서는 O2와 Ar을 이용하여, 표면을 친수성으로 만들거나 고분자에 Ar/O2를 혼합하여 etching을 하였었는데, 경험 하신분들이 다 졸업을 하시는 바람에, 여기에 도움을 청하게 됐습니다.
제가 궁금한 점은,
1. O2만을 이용하여 표면을 친수성으로 만들때의 표면 위치와
2. Ar을 이용하여 etching을 할때의 표면 위치가
두 경우에 다른지가 궁금합니다.
타겟으로 하는 표면을 각각의 경우에, 챔버 내부의 RF Power와 Matching box가 연결되어 있는 부분에 두어야 하는지, 그 반대에 두어야 하는지 혹시 도와주실 분이 계신가요..?
참고로 샘플은 PDMS (고분자) 입니다.
저희도 공정 경험이 없어 답을 드리기 힘들지만, 다음 키워드로 조사를 하면 계시판 답글에서 정보를 얻으실 수 있으실 것 같습니다.
제가 생각하기에는 공정이슈로 보입니다.
다만 관련 플라즈마에 관해서는 세정, 폴리머, 친수성, RIE 모드 또는 플라즈마 모드, self-bias 현상과 관련이 있을 것 같아 키워드 추천드립니다. 혹시 여력이 되면 음이온 플라즈마의 공간 분포의 현상에도 관심을 가져 보시기 바랍니다.