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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
[1] | 3741 |
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Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
[1] | 3624 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 3207 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 3165 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
[1] | 3098 |
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PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2928 |
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DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 2912 |
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Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2808 |
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doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
[1] | 2782 |
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Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
[1] | 2741 |
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etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 2703 |
44 |
압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
[1] | 2605 |
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 2534 |
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
[1] | 2278 |
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터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력]
[1] | 2068 |
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텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응]
[1] | 2040 |
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Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity]
[1] | 1846 |
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SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리]
[1] | 1805 |
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Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance]
[1] | 1781 |