Chamber Impedance CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의
2023.11.21 14:54
안녕하세요.
ETCH 공정 CCP 설비 관련하여 Plasma 변동성 해석 중인데, 아래와 같은 경우 HF/LF Vpp 값이 어떻게 변화하는지 알 수 있을까요?
어떤 원리에 의해서 그런 변화가 발생하는지도 궁금합니다.
- 특정 부품(Edge Ring)의 Capacitance 감소 → Impedance 증가 → HF Vpp? LF Vpp? (증가? or 감소?)
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76857 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57194 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92611 |
777 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 203 |
776 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 153 |
775 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 63 |
774 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 266 |
773 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 68 |
772 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 113 |
771 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 179 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 183 |
769 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 77 |
768 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 256 |
767 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 134 |
766 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 88 |
765 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 183 |
764 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 327 |
763 | ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] | 364 |
762 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 204 |
761 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 218 |
760 | PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] | 573 |
759 | Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] | 593 |
758 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 139 |