Process Cu migration 방지를 위한 스터디

2023.12.18 23:14

Kann 조회 수:217

디스플레이 업계 어레이 공정 개발을 담당하고 있습니다. 

골치 아픈 문제가 있어 이렇게 자문을 구해봅니다.

Bottom Gate로 Copper를 사용하고 있고, GI막을 SiNx+SiO2 이런 구조로 사용하고 있습니다.

현재 제품의 문제가 고객단에서 Gate-SD Short 문제인데요,

GI Particle 관점에서 말고, GI막내로 Gate Cu migration으로 인한 항복전압(Breakdown Voltage) 문제로 보고 있습니다.

제픔의 특성상 Gate를 디른 재료로 바꿀수는 없구요. 

Cu 확산이 이뤄진다라는 가정하에 이놈을 효과적으로 제어하는 방법이 있을까요.

의견 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76857
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20262
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57194
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92611
777 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 203
776 ICP에서 전자의 가속 [1] 152
775 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 63
774 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 262
773 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 68
772 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 113
771 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 178
770 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 183
769 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 77
768 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 255
767 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 134
766 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 88
765 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 183
764 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 327
763 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 364
762 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 204
» Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 217
760 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] 573
759 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 592
758 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 139

Boards


XE Login