안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

 

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

 

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

 

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

 

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

 

 

 

Forword Power [%]

 

Reflect Power [W]

 

Bias(Vpp) Power

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103361
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24718
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61540
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73523
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105956
814 ICP 플라즈마에 관해서 [2] 32616
813 RF에 대하여... 32607
812 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 32076
811 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31936
» [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] 31652
809 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30596
808 플라즈마 밀도 [Langmuir 탐침과 플라즈마의 밀도] 30553
807 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 30336
806 PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] 30129
805 matching box에 관한 질문 [ICP Source 설계] [1] 30063
804 플라즈마의 정의 29691
803 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [Mean free path] [1] 29589
802 물질내에서 전하의 이동시간 29471
801 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 [Ozone과 Plasma] 29297
800 플라즈마와 자기장의 관계 29113
799 Arcing [전하 축적에 의한 방전 개시] [1] 28979
798 반도체 관련 질문입니다. 28666
797 sheath와 debye sheilding에 관하여 [전자와 이온의 흐름] 28432
796 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. [플라즈마 도서 추천] 28419
795 esc란? 28296

Boards


XE Login