Sputtering gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다
2023.11.13 17:15
안녕하세요 스퍼터링 공부중인 학생입니다.
실험으로 스퍼터김운용 중 기타 변수들을 동일하게 하고 Ar20 sccm고정 02 를 2,4,6 조절하며 두께 및 저항값을 측정하고 있습니다.
o2양이 증가함에 따라 deposition rate가 감소하여 동일시간 증착시 더 증착되고 저항값도 커지는걸로 알고 있습니다만 제가 알고 있는 것이 맞을까요?
또한 4point prboe 측정시 2sccm 은 면저항이 5.6 옴정도로 측정되고 4sccm은 평균 400옴정도로 측정되는데 정상인지 여쭤보고 싶습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76855 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57193 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92610 |
777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 136 |
776 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 139 |
775 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 144 |
774 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 152 |
773 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 153 |
772 | skin depth에 대한 이해 [1] | 165 |
771 | corona model에 대한 질문입니다. [1] | 170 |
770 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 173 |
769 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 175 |
768 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 178 |
767 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 183 |
766 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 183 |
765 | 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] | 187 |
764 | 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] | 190 |
763 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 203 |
762 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 204 |
761 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 212 |
760 | 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] | 213 |
759 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 217 |
758 | 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] | 225 |