안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103215
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24699
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61497
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73513
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105924
813 DC Arc Plasma Torch 관련 문의 [1] 381
812 반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가] [2] 383
811 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [RF Power] [1] 397
810 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 401
809 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [에너지 균형과 입자 균형식] [1] 405
808 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 408
807 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 410
806 RF ROD 연결부 부하로 인한 SHUNT, SERIES 열화 [2] file 411
805 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 413
804 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 423
803 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 424
802 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 425
801 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 429
800 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 429
799 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 432
798 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 436
797 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 436
796 ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 442
795 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [Sheath energy] [1] 451
794 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 458

Boards


XE Login