안녕하세요 현재 ICP 방식의 Dry Etch 설비를 다루는 엔지니어입니다

 

제가 3년차인데 아직 Plasma 생성 개념이 완벽하진 않아서 그런거 같은데 

 

설비의 ER이 느리다고 판단되면 TCP PWR를 상향하거나 Bias Power를 상향해서 ER을 빠르게 하는데요 

Bias Power를 상향하면 양이온의 직진성, 양이온을 가속시켜 ER 빨라진다고 알고있는데 

 

TCP POWER(Source Forward Power)를 상향시키면 왜 ER이 상향 되는지 궁금합니다. 

 

혼자서 막 생각도 해보고 Plasma 생성 방법에 대해서도 공부를 해봤는데 

제가 전기 개념을 잘 몰라서 그런건지.. 잘 이해가 되지 않고 다가 오지 않습니다

 

잘 알려주시면 감사히 배우겠습니다 

 

새해 복 많이 받으세요!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20169
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68693
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92269
768 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 159
767 corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
766 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 169
765 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 170
764 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 173
763 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
762 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 187
761 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 196
760 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 198
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 205
758 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 206
757 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 207
756 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 214
755 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
754 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 228
753 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 231
752 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 248
751 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 250
750 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 250
749 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 272

Boards


XE Login