ICP ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해]

2024.02.29 14:09

김준서 조회 수:432

안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.

쉬스에 대해 공부를 하던 중, CCP에서는 Cathode 부근에서 쉬스가 형성되고, sheath potential을 극복한 전자가 해당 쉬스로 들어와 음전압 강하로 인해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 이해했습니다.

ICP에서도 벽면에 쉬스가 형성되겠지만, 이는 전자가 가속되기엔 충분치 않으므로 RF Coil에 의한 전기장에 의해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 생각해도 될까요? 

 

추가로, CCP & ICP 에서 챔버 내 반경에 따른 플라즈마의 밀도의 차이를 알고 싶은데 어떤 식으로 접근해야 할 지 궁금합니다.

 

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102206
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24573
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61231
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73315
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105539
813 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 355
812 Druyvesteyn Distribution 359
811 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 363
810 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [RF Power] [1] 373
809 반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가] [2] 376
808 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 391
807 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [에너지 균형과 입자 균형식] [1] 392
806 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 395
805 HF와 LF중 LF REFLECT POWER가 커지는 현상에 대해서 도움이 필요합니다. [2] 397
804 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 406
803 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 406
802 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 407
801 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 418
800 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 418
799 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 419
798 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 421
797 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 423
796 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 426
» ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 432
794 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [Sheath energy] [1] 439
쓰기
태그

Boards

XE Login