Etch wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상
2018.02.12 12:03
안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.
icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.
Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.
어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.
또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데
source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.
맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.
답변 해주시면 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76791 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20229 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68723 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92436 |
47 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 987 |
46 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1026 |
45 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1061 |
44 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1079 |
43 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1121 |
42 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1141 |
41 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1164 |
40 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1185 |
39 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1246 |
38 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1318 |
37 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1380 |
36 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1414 |
35 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1765 |
» | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1801 |
33 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1959 |
32 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1991 |
31 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2031 |
30 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2057 |
29 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2265 |
28 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2275 |
일반적으로 ER은 식각이온의 energy flux (= 입자속 x 에너지) 에 비례한다고 알려져 있습니다. 이 값은 입사 이온의 에너지, 즉 식각 이온의 쉬스 전위로 부터 얻은 에너지 (= 플라즈마 공간의 전위 - 시편 표면의 부유 전위 (일반적으로 self bias 값))이므로, 플라즈마 밀도 혹은 bias power에 따릅니다. 여기서 플라즈마 전위는 공간 내에 형성된 플라즈마의 온도 특성에 의해 지배를 받으니, 플라즈마 상태의 변화는 이 에너지 변화에도 영향을 주게 됩니다. 또한 입자속은 밀도 x 이온의 음속도의 값이므로, 플라즈마의 밀도에도 영향이 있습니다. 즉, ER의 감소는 생성되는 플라즈마의 밀도, 온도의 감소가 가져오는 현상이거나, 보다 민감하게는 self bias.의 전압이 작아진데서 기인하는 결과라 예상해 볼 수가 있겠습니다. self bias 값의 변화는 (self bias 내용을 계시판에서 찾아 보시고) 타킷의 cap 값이 적어져서 축적 전하의 양이 적어지는 경우가 있을 수 있겠고, 혹은 고에너지 전자의 수가 적어지는 플라즈마 가열에서의 원인이 예상될 수가 있겠습니다. 아마더 전자에 해당하는 cap 변화의 원인을 제거하는 방향이 우선되어야 할 것 같습니다. (대부분 반응기의 플라즈마 가열 메카니즘은 안테나 형상 변화 등이나 전력 주파수 변화 등의 요인 외에는 쉽게 변하지 않는 장치의 고유 특성이라 할 수 있기 때문입니다.)