Etch Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.

2019.12.01 17:46

이윤표 조회 수:1848

학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5631
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16935
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64231
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84428
31 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1247
30 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1261
29 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1437
28 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1462
27 터보펌프 에러관련 [1] 1507
26 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1518
25 etching에 관한 질문입니다. [1] 1582
» Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1848
23 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1890
22 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2133
21 Plasma etcher particle 원인 [1] 2166
20 PR wafer seasoning [1] 2453
19 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2482
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2912
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3514
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3542
15 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3619
14 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3836
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4083
12 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4951
쓰기
태그

Boards

XE Login