안녕하십니까

 

장비 업계에서 공정 담당을 하고 있는 엔지니어입니다.

 

이번에 Facing target sputtering(DC+RF dual)을 처음 접하여 진행중 동일 공정 조건으로 여러번 진행시

 

Dep 두께가 감소하는 현상과 함께 DC P/S 의 Voltage가 증가하고 A 가 감소하는 현상이 발생하였습니다.

 

물론 같은 W입니다.(Watt 제어)

 

Gas는 Ar 50sccm O2 1sccm, 타겟은 ITO입니다.

 

20분정도의 짧은 시간의 Sputtering이며 단 2일간의 공정사이에 Voltage가 500V에서 600V 올라가는 현상도 같이 발생합니다.

 

RF와 동시 사용시 발생하는 문제인지 처음 보는 현상이라 어렵네요

 

문의사항에 필요한 항목이 있으면 댓글 주시면 감사하겠습니다.

 

비슷한 경험이라도 있으신분은 댓글 주세요 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [273] 76809
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20240
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68736
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92569
774 ICP에서 전자의 가속 [1] 149
773 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 151
772 skin depth에 대한 이해 [1] 155
771 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 157
770 corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
769 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 170
768 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 172
767 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 174
766 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 177
765 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 186
764 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [1] 189
763 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 193
762 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 197
761 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 202
760 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 210
759 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 214
758 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 225
757 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 234
756 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 234
755 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 241

Boards


XE Login