저는 최근 반도체 증착장비에 대해 공부하다 플라즈마에 대해 궁금증이 생겨서 질문을 남깁니다.
 
스퍼터링법에서 플라즈마 발생 원리는 챔버내에 가스를 주입하고 타겟(도체)에다 DC전원으로 음전압을 가해주어 타겟이 음극이 되게되고
 
음극이 된 타겟에서 전자들이 튀어나와 가스들과 충돌하고 가스들이 전자의 에너지를 받아 이온화가 되어 양이온과 전자로 나눠지게 되는 플라즈마 상태가 형성되는걸로 알고 있습니다.
 
하지만 도체인 타겟말고 부도체인 타겟을 사용하게 될때는 DC말고  RF파워를 사용을 한다고 하는데
 
타겟이 도체인 경우 음전압을 가해주면 전자의 이동이 쉬워 음극이 되게되고 이 음극이 된 타겟에서 전자들이 나와 가스와 충돌하여 플라즈마가 되는데
 
타겟이 부도체인경우 RF파워로 음전압 가해주어도 전자의 이동이 쉽지가 않으니 음극이 되지 않아 전자가 방출이 되지 않아서 플라즈마가
 
생성이 되지 않는다고 생각이 되는데 어떻게 해서 타겟이 부도체인데 플라즈마가 형성이 되는지 궁금해서 질문을 드립니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5852
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17318
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53139
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64533
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85142
318 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2234
317 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 2221
316 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2196
315 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2179
314 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2160
313 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2159
312 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 2134
311 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2119
310 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2083
» 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2077
308 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2045
307 Wafer particle 성분 분석 [1] 2026
306 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2025
305 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2009
304 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 2007
303 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1989
302 플라즈마볼 제작시 [1] file 1981
301 Si Wafer Broken [2] 1973
300 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1972
299 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1948

Boards


XE Login