Etch PR wafer seasoning
2018.03.19 10:54
안녕하세요. 반도체 장비업계에 근무하는 권보경입니다.
ICP 타입 O2 플라즈마에서 E/R drop의 이슈가 있었으나
PR wafer로 seasoning 후 회복되면서 일전과 비슷한 수준으로 saturation 되었습니다.
이 원리는 무엇이고 bare wafer seasoning은 효과가 있는지 알고싶습니다.
답변 부탁드립니다. 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] | 75777 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19464 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56675 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68054 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90353 |
378 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2736 |
377 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2721 |
376 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2684 |
375 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2676 |
374 |
임피던스 매칭회로
[1] ![]() | 2675 |
» | PR wafer seasoning [1] | 2650 |
372 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2618 |
371 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2577 |
370 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2554 |
369 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2508 |
368 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2473 |
367 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1] ![]() | 2465 |
366 | 질문있습니다. [1] | 2453 |
365 | RF matcher와 particle 관계 [2] | 2425 |
364 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2366 |
363 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2364 |
362 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2362 |
361 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2348 |
360 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2343 |
359 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2341 |
우리가 플라즈마 공정을 생각할 때 공정과정에 신경을 쓰다 보니 생성 전/후에 대해서는 깊이 생각할 기회를 놓치곤 합니다. 하지만 실제 공정은 연속적으로 이뤄지는 경우가 많습니다. 따라서 플라즈마 공정을 살필때는 전/후 공정을 함께 생각하려는 노력이 필요하겠습니다.
입자들의 생성/소멸의 과정과 그 기여 인자를 생각해 보는 것 입니다. 입자들을 볼 때 우리는 균형방정식이라는 것을 세웁니다. 이름이 거창하지만, 이는 생성입자가 소멸입자와 같아야 해야 균형이 성립한다는 말입니다. 그 다음 생성의 종류를 고려해 보세요. 그리고 소멸의 종류를 생각해 보세요. 그 과정이 발생하는 곳을 찾아야 하고, 이 과정에 기여하는 운전인자를 찾는 것도 중요합니다. 그래야 조절 혹은 공정을 할 수가 있기 때문입니다. 이 과정이 가능하면, 그 다음으로 할 일은 공정 후에 다음 공정에서 이 공정으로 부터 인계되는 인자, 즉 그 값들은 다음 (후) 공정 다음에 연속되는 공정의 입력 (초기) 값이 됩니다. 따라서 초기값의 조절은 전공정으로 부터 조절이 되겠습니다.
Seasoning의 원리는 이와 같으니 현재 문제는 전 공정에서 원인을 찾아 보면 좋을 것이고, 이 같은 방법의 문제 의식은 앞으로 플라즈마 문제 해결에 도움이 될 것입니다. 잘 해결해 보시기 바랍니다.