Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2359

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76654
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57149
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92130
407 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2886
406 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2867
405 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2867
404 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2810
403 임피던스 매칭회로 [1] file 2798
402 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2754
401 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2749
400 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2725
399 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2722
398 PR wafer seasoning [1] 2699
397 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2683
396 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2631
395 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2624
394 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2578
393 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2574
392 질문있습니다. [1] 2565
391 Si Wafer Broken [2] 2499
390 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2486
389 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2465
388 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2430

Boards


XE Login