안녕하십니까, 서울대학교 황농문교수님 연구실 김두윤이라고 합니다.

 저는 현재 RF plasma sputtering 공정을 연구하고 있습니다.

 박막 증착 공정을 진행하던 도중, 예상치 못한 증착 거동을 관찰하였습니다.

 이를 이해하기 위해, 기판에 오는 ion과 electron current, plasma potential 등을 측정하려고 시도하고 있습니다.

 그리고 관련 전문가의 도움을 받아, langmuir probe와 유사한 circuit을 '첨부한 사진'과 같이 구성하였습니다.

 제 circuit이 올바르게 구성되었는지에 대한 의문이 들어 질문을 올리게 되었습니다.

 사진을 보시면, 제 circuit은 일반적인 langmuir probe circuit과 조금 구성이 다릅니다.


1. probe 크기가 2cm x 2cm로 제가 사용하는 기판의 크기와 동일합니다. 기판에 오는 current를 측정하고 싶어, 일반적인 langmuir probe 탐침이 아닌, 기판과 동일한 크기의 probe를 사용하였습니다. 이 경우, 측정에 문제는 없는 것인지 의문이 듭니다.

    현재 Ti target에 1~2W/cm^2의 RF power density와 5~10mTorr (Ar) pressure를 사용하고 있으며, 기판은 target으로부터 13~14cm 가량 떨어져 있습니다.

2. Amperemeter를 chamber ground와 맞물렸습니다. 크게 상관은 없을 것이라 생각하지만, RF plasma를 사용하는 만큼 circuit 구성에 대한 문제는 없는 것인지 전문가의 조언을 듣고 싶습니다.


Lanmuir probe 사용이 처음이라 미흡한 부분이 많습니다. 플라즈마 전문가들의 조언을 얻을 수 있을까 하여 질문 드립니다.

감사합니다.


kdy9271@snu.ac.kr

김두윤 드림

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20246
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57186
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92575
415 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2903
414 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2882
413 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2879
412 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2826
411 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2825
410 임피던스 매칭회로 [1] file 2816
409 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2779
408 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2776
407 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2730
406 PR wafer seasoning [1] 2704
405 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2688
404 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2652
403 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2643
402 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2591
401 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2584
400 질문있습니다. [1] 2575
399 Si Wafer Broken [2] 2527
398 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2504
397 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2483
396 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2466

Boards


XE Login