안녕하세요.

반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.

Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.

배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.

           하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.

 질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.

           Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.

          Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,

           갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....

         

          

          

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1201
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 954
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49376
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59491
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 74202
256 안녕하세요 교수님. [1] 8430
255 Lecture를 들을 수 없나요? [1] 8399
254 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 12255
253 MFP에 대해서.. [1] 7415
252 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6437
251 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7492
250 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 9747
249 플라즈마 발생 억제 문의 [1] 7612
248 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 17095
» Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 15658
246 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 14719
245 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] 18844
244 cross section 질문 [1] 19058
243 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 27766
242 RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] 16894
241 ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] 20661
240 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24173
239 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22237
238 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19521

Boards


XE Login