안녕하세요~

반도체 회사에 근무하는 엔지니어 입니다.

ICP Type의 장비를 다루는데 RF source가 Top(1.8MHz)/Side(2.0MHz)/Bias(13.56MHz)로 구성되어 있고,

Ar gas로 50mTorr의 압력으로 상승 시킨후에 Top RF부터 인가하게 됩니다. (Top의 Antenna 권선수 n= 4 , Side=2)

궁금한 점은 Top을 plasma ignition시 잘 켜지는데, Side부터 인가하게 되면 reflection이 input값만큼 뜨면서 ignition fault가 발생합니다.

TOP이 권선수가 많아 전자의 속도가 더 빨라서 그런것인가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76765
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20222
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57173
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68714
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92348
410 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2896
409 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2876
408 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2875
407 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2823
406 임피던스 매칭회로 [1] file 2805
405 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2792
404 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2769
403 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2753
402 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2728
401 PR wafer seasoning [1] 2704
400 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2687
399 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2646
398 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2638
397 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2582
396 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2580
395 질문있습니다. [1] 2572
394 Si Wafer Broken [2] 2517
393 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2495
392 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2479
391 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2457

Boards


XE Login