안녕하세요 김곤호 교수님.

저는 코로나 방전 공부를 하고 있는 대학원생입니다.

저번에 재료에 따른 이온풍에 대해 질문했었는데요 오늘은 다른 질문을 하러 왔습니다.

저는 wire-plate로 전극을 구성해서 wire에 +극 고전압을 인가해서 코로나 방전을 시키고 있습니다.

이번에 재료를 바꾸면서 실험을 했었는데 이해가 잘 되지 않은 부분이 있습니다.

저는 플라즈마 공간 유지에 있어서 wire의 재질특성이 이온화 에너지가 낮아야 방전이 잘되고 plate의 재질특성이 전기전도도가 낮아야 플라즈마 공간이 잘 유지된다고 생각하고 있습니다.

wire의 재질이 이온화 에너지가 낮아야 된다고 생각한 이유는 이온화 에너지가 낮을 수록 방전 개시전압이 낮아지고 그만큼 플라즈마 공간 형성이 용이 하다고 생각했기 때문입니다.

다음으로 plate의 재질이 전기전도도가 낮아야 된다고 생각한 이유는 전기전도도가 높으면 방전이 일어나면서 plate로 손실되는 에너지가 클 것이라고 생각했기 때문입니다.

하지만 막상 실험을 해본결과 이온화에너지가 가장 낮은 은보다 니켈이 더 성능이 좋았고, 전기전도도가 낮은 텅스텐보다 은이 성능이 더 좋았습니다.

혹시 제가 모르는 다른 요소가 있거나 제가 잘못생각한 점이 있다면 설명해주시면 감사하겠습니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75020
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18860
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56340
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66844
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88303
339 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3786
338 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3823
337 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3965
336 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4026
335 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4313
334 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4317
333 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 4661
332 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4686
331 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4686
330 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4702
329 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 4993
328 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 5012
327 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5143
326 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5298
325 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5326
324 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5400
323 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5526
322 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5589
321 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5778
320 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5795

Boards


XE Login