안녕하세요. 직장에서 Etcher를 다루고 있습니다.


저희 장비 중 Microwave Plasma를 사용하고, 여기에서 Impedance를 Matching하는 Matcher가 있습니다.


이 Matcher는 아래 도파관이 있고, 그 위에 3개의 Stub가 있는데, 정확하게 Matching을 진행하는 원리가 궁금합니다.


다른 ICP하고는 달리 Matcher가 회로로 되어 있는 것이 아니니 머리속으로 물리적인 현상을 떠오르는데 어려움이 있네요.


원리가 표현된 관련 문헌이나 자료가 있으면 더욱 감사드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76840
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20252
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68743
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92582
416 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 848
415 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 709
414 etching에 관한 질문입니다. [1] 2268
413 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3444
412 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5682
411 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5469
410 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 485
409 Si Wafer Broken [2] 2528
408 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1434
407 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1323
406 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 943
405 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2325
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26169
403 Collisional mean free path 문의... [1] 794
402 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2338
401 플라즈마 색 관찰 [1] 4283
400 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 14143
399 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1019
398 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1044
397 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24122

Boards


XE Login