안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.

플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.

이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.

그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는

자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
403 RF matcher와 particle 관계 [2] 2856
402 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2853
401 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
400 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805
399 임피던스 매칭회로 [1] file 2789
» PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2719
397 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
396 PR wafer seasoning [1] 2694
395 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2674
394 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2667
393 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
392 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
391 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2602
390 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
389 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2565
388 질문있습니다. [1] 2544
387 Si Wafer Broken [2] 2472
386 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2469
385 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
384 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2423

Boards


XE Login