Sputtering sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
2017.10.02 14:13
안녕하세요.
해외에서 박사과정을 하고 있는 학생입니다.
RF스퍼터로 reactive sputtering을 통해 유전층을 증착하는 실험을 하는데요.
저희연구실에서는 스퍼터링 가스로 Ar/Kr를 사용하고 있습니다.
학부때는 Kr이 Ar보다 질량이 커서 sputtering yield가 증가한다 정도로만 배웠는데, ion bombardment energy 가 작기 때문에 플라즈마 데미지가 줄고, 더 좋은 막질이 형성된다고 하더라구요.
논문을 조금 찾아봤는데 스퍼터링 가스에 대한 연구는 오래전에 진행되었는지 최근논문들을 찾아보기 힘들더라구요.
그냥 단순히 생각했을 때 질량이 크면 충돌하는 에너지도 크고, 데미지가 더 셀 것 같은데 Kr 등의 가스가 Ar보다 플라즈마 데미지가 적은 원리에 대해 설명을 부탁드려도 될까요?
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76744 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20213 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68706 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92300 |
409 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2327 |
408 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2328 |
407 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 2334 |
406 | CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] | 2343 |
405 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2360 |
404 | RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] | 2383 |
403 | RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] | 2398 |
402 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2433 |
401 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2439 |
400 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2455 |
399 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2479 |
398 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2494 |
397 | Si Wafer Broken [2] | 2513 |
396 | 질문있습니다. [1] | 2572 |
395 | 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] | 2580 |
394 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2582 |
393 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2636 |
392 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2644 |
391 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2686 |
390 | PR wafer seasoning [1] | 2701 |