Plasma in general 플라즈마 기초입니다
2018.04.08 17:48
안녕하세요
은퇴후 자작으로 해봅니다.
이쪽은 생소한 분야라서 공부하면서 실험합니다. (본래 저는 전자공학을 전공했습니다.)
백금족 전극으로 수도물에
1) DC 12V를 인가하여 5분간 전기분해 개념으로 작동했더니, >> ORP = -200~-300mV, Ph=7.5~7.7, 수소 300~400PPB 정도가 생성,
2) 같은 조건으로 30초 간격으로 전극의 극성을 바꾸었더니 측정 결과는 조금 높게 나옵니다.
3) 그리고 이번에는 DC 12, 10KHz 구형파를 작동식켜보니 좀더 나은 데이터가 나오고
4) 24KHz를 걸어보니 좀더 나은 데이터가 나오는데
질문은요...
(1) 위 실험 중에서 전기분해와 플라즈마 발생을 나눌 수 있나요.
예를들면 1), 2)는 전기분해, 3),4)는 플라즈마...
(2) 위 1과 2가 다른 데이터가 나오는 이유가 무엇일까요.
(3) 3,4 에서 주파수를 계속높이면 더 좋은 결과를 얻을 수 있을까요.
(4) 그렇다면 주파수는 얼마까지 높일 수 있나요.
설명 주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76858 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20263 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68748 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92612 |
417 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2909 |
416 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2886 |
415 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2883 |
414 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2850 |
413 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2832 |
412 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2820 |
411 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2792 |
410 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2782 |
409 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2730 |
408 | PR wafer seasoning [1] | 2705 |
407 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2693 |
406 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2657 |
405 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2652 |
404 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2591 |
403 | 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] | 2586 |
402 | 질문있습니다. [1] | 2580 |
401 | Si Wafer Broken [2] | 2531 |
400 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2510 |
399 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2489 |
398 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2479 |