Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
2018.05.10 13:56
안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76774 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20224 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68721 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92387 |
411 | 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] | 2327 |
» | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2331 |
409 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2331 |
408 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2331 |
407 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 2339 |
406 | CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] | 2349 |
405 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2361 |
404 | RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] | 2389 |
403 | RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] | 2405 |
402 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2433 |
401 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2440 |
400 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2460 |
399 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2479 |
398 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2496 |
397 | Si Wafer Broken [2] | 2520 |
396 | 질문있습니다. [1] | 2573 |
395 | 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] | 2581 |
394 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2582 |
393 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2639 |
392 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2646 |