학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20169
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68693
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92268
408 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2327
407 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2329
406 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2342
405 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
404 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2377
403 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2386
402 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2431
401 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2435
400 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2450
399 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2471
398 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2492
397 Si Wafer Broken [2] 2508
396 질문있습니다. [1] 2569
395 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2579
394 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2581
393 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2629
392 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2638
391 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2685
390 PR wafer seasoning [1] 2701
389 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2727

Boards


XE Login