Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭
2020.05.15 23:53
안녕하세요 교수님
현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.
FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고
Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.
1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?
2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76733 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20204 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68701 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
| 409 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2325 |
| 408 | 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? | 2327 |
| 407 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 2333 |
| 406 | CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] | 2343 |
| 405 | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2360 |
| » | RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] | 2382 |
| 403 | RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] | 2397 |
| 402 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 2433 |
| 401 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2438 |
| 400 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2453 |
| 399 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2478 |
| 398 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2493 |
| 397 | Si Wafer Broken [2] | 2512 |
| 396 | 질문있습니다. [1] | 2572 |
| 395 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1]  | 2580 |
| 394 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2581 |
| 393 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2635 |
| 392 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2644 |
| 391 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2686 |
| 390 | PR wafer seasoning [1] | 2701 |
표면 식각 및 세정 화학반응을 전북대학교 임연호교수님 연구실 혹은 성균관대학교 염근영교수님 연구실로 문의드려 보십시오.
다만, Remote plasma는 소스 부와 반응부 사이의 거리가 먼 특징이 있는데, 소스 부에서 해리되어 생성된 세정 화학물 (라디컬)들이
확산을 통해 타킷까지 전달되는 동안에 재결합 등을 통한 변화가 많아, 소스 부의 현상과 타킷 근방의 생성종의 밀도 변화는
물리적으로 소스부의 가열특성과 확산 거리 (재결합 반응 길이)의 함수로서 결정될 수가 있겠습니다. 이 기준으로 입력 값을 해석하고
이를 기반으로 표면에서 반응과 결합해서 해석하면 공정 제어 방법을 찾는데 도움이 될 것 같습니다.