안녕하세요. 저는 디스플레이 건식식각 장비회사에 다니고 있습니다.

 

저희 회사는 ICP를 사용하고 있습니다. Source Vpp, Bias Vpp라는 parameter가 있는데 제가 알기로는 RF 파형의 전압 값으로 RF power와 비례한다고 알고 있습니다. 그런데 식각 시 Source와 Bias power는 일정하게 유지함에도 불구하고 Vpp가 변동됩니다. Process가 진행되면서 Source Vpp는 증가하는 경향, Bias Vpp는 감소하는 경향을 보입니다. 

 

Bias Vpp는 -Vdc(표면전위)로 점차 떨어져 안정화된다고 하셨는데, Source Vpp는 왜 증가한 후 안정화되는 건가요?

 

박막이 식각됨에 따라 플라즈마의 임피던스가 변해서 Vpp가 변동이 생기는 건가요? 그렇다면 왜 Source Vpp와 Bias Vpp가 상반되는 거동을 보이는 것인지요? 고민해봐도 잘 모르겠어서 부득이하게 질문 드립니다.

 

참고로 저희 장비의 Vdc sensor는 capacitor의 원리를 사용해 측정하기 때문에 전위변동 -> 안정화 후에는 0으로 수렴하는 경향을 가지고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5589
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16863
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51344
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64195
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84173
311 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2088
310 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 2074
309 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2065
308 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2055
307 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 2050
306 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2015
» 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 2006
304 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2004
303 Wafer particle 성분 분석 [1] 1969
302 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1954
301 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 1952
300 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 1938
299 플라즈마볼 제작시 [1] file 1928
298 Si Wafer Broken [2] 1903
297 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1880
296 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 1840
295 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1832
294 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 1827
293 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1819
292 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1811

Boards


XE Login