안녕하세요. 반도체 회사에 근무하는 김화중입니다.

 

제목에 언급드린대로 CCP 구조에서 chamber에 쌓이는 막질에 의한 capacitance 변화가 어떻게 될지 예상해보던 중 잘 모르겠어서 질문드립니다.

 

비정질 물질을 사용하는 chamber에서 S/H에 depo 되는 막질이 쌓여감에 따라 capacitance 가 변화하고 이로 인해 impedance 가 변할걸로 예상되는데요. 변화 방향을 계산해보고 싶습니다.

 

막질 A,B가 쌓인다고 했을 때 A의 cap 값은  물질의 dielectric constant 에 비례하고 막의 두께에 반비례하게 계산하고 이 B도 마찬가지로 계산하여 원래 CCP의 cap과 막질로 의한 cap이 직렬로 연결된 구조로 봐서 총 cap 값을 계산하면 되는걸까요?

 

다른 질문들을 보면서 학습하던 중 교수님께서 답변 달아주신 "특히 CCP의 경우 전극과 벽면의 erosion 혹은 오염으로 인해 capacitance 특성이 바뀌었습니다. 표면적 변화와 피막의 절연층이 만드는 변화입니다" 라는 내용이 있던데 관련 자료를 찾기 힘들어 이렇게 질문드립니다. 너무 당연한 내용이라면 혹시 어떤 부분을 공부해보면 될지 조언해주시면 감사하겠습니다.

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