안녕하세요.

플라즈마를 이용한 반도체 공정의 균일도에 관련한 모든 게시물을 보며 많은 도움을 받았습니다.

RF Power는 플라즈마 분포 균일성 및 공정 균일도에 영향을 미치지 않는 것인지 궁금하여 질문드립니다. (CCP-RIE, PECVD)

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76413
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19992
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68542
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91339
396 질문있습니다. [1] 2518
395 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2544
394 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2563
393 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2565
392 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2569
391 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2585
390 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2592
389 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2659
388 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2684
387 PR wafer seasoning [1] 2687
386 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2714
385 임피던스 매칭회로 [1] file 2762
384 RF matcher와 particle 관계 [2] 2770
383 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2774
382 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2825
381 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2827
380 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2852
379 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2873
378 Plasma etcher particle 원인 [1] 2891
377 CVD 공정에서의 self bias [1] 2970

Boards


XE Login