Chamber component RF matcher와 particle 관계
2022.02.01 18:52
안녕하세요. 대학교 졸업을 앞둔 학부생입니다.
이해가 잘 되지 않는 부분이 있어 여쭙습니다.
RFG를 통해, RF 주파수를 공급하여, plasma를 형성하는 것으로 알고 있습니다.
이 때, 공급되는 RF 주파수를 최대한으로 공급하기 위하여, matcher를 이용하여, 조절한다 배웠습니다.
여기서 이해가 잘 안가는 부분이, 고주파의 진행파와 반사파의 비를 조절하여 임피던스 매칭을 시키는 것인가요?
무엇을 이용하여, 어떤 파라미터를 조절하여 최대 전력을 조달하는지 이해가 잘 가지 않습니다..
matching이 깨지게 되면,왜 arcing이 발생하고 왜 chamber 내에 particle이 발생하여 wafer scrap이 발생하는지도 잘 모르겠습니다..
다소 기초적인 지식이지만, 제가 가지고 있는 반도체 책, 학부 수업에서는 이 정도까지의 정보가 없어 이렇게 여쭙게 되었습니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76744 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20213 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68706 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92301 |
409 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2893 |
408 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2874 |
407 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2874 |
406 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2822 |
405 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2804 |
404 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2784 |
403 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2765 |
402 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2747 |
401 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2727 |
400 | PR wafer seasoning [1] | 2701 |
399 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2686 |
398 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2644 |
397 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2636 |
396 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2582 |
395 | 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] | 2580 |
394 | 질문있습니다. [1] | 2572 |
393 | Si Wafer Broken [2] | 2514 |
392 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2494 |
391 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2479 |
390 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2455 |