안녕하세요.
제가 플라즈마를 이용한 에칭 장비를 담당 하고 있습니다.
ICP 타입의 장비이며, 1Pa 조건에서 N2와 O2를 이용, RF Power 가하여
공정을 진행하고 있습니다.

남아있는 전하에 의해서 정전기가 생기는것 같아
이것을 없애고 싶습니다.

지금 제가 생각하고 있는 방법은
에칭이 끝난 후에
Ar gas를 이용하여 RF Power 를 약하게 해서
후처리 형식으로 ,대전되있는 Glass를 제전시키고자 합니다.

자문을 구할때도 없고, 구글만 내내 검색하고 있던차에
플라즈마 응용연구실을 접하게되었습니다.
저보다 학식도 높고 플라즈마 분야에서는 전문가이실것 같아
이렇게 여쭤보게되었습니다.
도움부탁드립니다.


1. Plasma Etching 공정 후 남아있는 전하량 측정관련 참고문헌 소개.

2. 남아있는 전하량을 진공 (1Pa이하)에서 제거할수있는 방법 이 있는지.

3. Ar gas에 RF Power를 얼마나 가해야 플라즈마 상태로 바뀌는지.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102648
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24662
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73446
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105754
453 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2395
452 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장] [1] 2396
451 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [Floating sheath] [1] 2398
450 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [OES, VI 신호 및 가상계측 인자] [2] 2400
449 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [이차 전자의 방출 특성] [1] 2411
448 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [N2 플라즈마] [1] 2413
447 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문있습니다. [이온과 전자의 속도 차이와 Gate valve의 위치] [1] 2434
446 chamber impedance [장비 임피던스 데이터] [1] 2443
445 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2471
444 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2479
443 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2528
442 플라즈마 관련 기초지식 [DC glow discharge] [1] 2555
441 analog tuner관련해서 질문드립니다. [박막 플라즈마 및 tunning 원리] [1] 2568
440 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [Self bias의 이해] [1] 2589
439 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2599
438 Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion] [1] 2611
437 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model] [1] 2614
436 Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정] [1] 2621
435 plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소] [1] 2634
434 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다. [Experiment와 KFE] [1] 2652

Boards


XE Login