안녕하세요.


RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.


미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76541
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20077
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
403 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2357
402 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2388
401 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2417
400 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2425
399 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2451
398 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2469
397 Si Wafer Broken [2] 2473
396 질문있습니다. [1] 2545
395 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2566
394 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2571
393 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2604
392 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2617
391 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2664
390 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2670
389 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2675
388 PR wafer seasoning [1] 2694
387 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
386 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2720
385 임피던스 매칭회로 [1] file 2789
384 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2805

Boards


XE Login