저는 광학박막 분야에서 sputter 장비를 이용하여 간섭필터를 코팅하고 있습니다.

sputter에 ICP를 같이 사용하여 기판에 증착된 Si와 반응가스를 결합시키는 용도로 사용하고 있습니다.

ICP코일 앞에 위치한 Quartz 표면에서 식각된 것 같은 모양새를 보여 원인분석에 있습니다.

 

질문1. ICP 쪽에 Self bias로 인해 Quartz가 식각되는 현상이 발생될 수 있는지 궁금합니다

질문2. Ar과 함께 들어가는 반응가스로 O2를 사용했을 때와 H2를 사용했을 때 ICP 쪽과 기판 쪽에서 어떤 현상들이 생기는지 궁금합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103321
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24716
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61526
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73520
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105952
454 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 3620
453 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3590
452 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3550
451 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3405
450 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3394
449 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3370
448 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3359
447 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 3317
446 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 3267
445 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3239
444 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3230
443 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3222
442 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3213
441 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 3201
440 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3185
439 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3172
438 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3100
437 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3058
436 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 3054
435 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3043

Boards


XE Login